分光エリプソメータ FE-5000 / 卓上型分光エリプソメータ FE-5000S

大塚電子 / 大塚電子

ID:K00195

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高速分光エリプソメータ

FE-5000 / FE-5000S

分光エリプソメータ　FE-5000
◆紫外可視（300～800nm）の波長領域でのエリプソパラメータ測定が可能です。
◆ナノメータオーダーの多層薄膜の膜厚解析が可能です。
◆400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測定ができます。
◆反射角度可変測定により、薄膜の詳細な解析に対応しています。
◆光学定数のデータベース化およびレシピ登録機能の追加により操作性がアップしました。
◆多層膜フィッティング解析による光学定数測定による膜厚・膜質管理ができます。
卓上型分光エリプソメータ　FE-5000S
◆400ch以上のマルチチャンネル分光法によるエリプソスペクトルの迅速測定ができます。
◆自動角度可変の反射測定により、薄膜の詳細な解析に対応しています。
◆自動サインバー駆動方式の採用により、高い角度精度を実現しています。
◆薄膜解析に必須の全角度同時解析を搭載しています。
◆バルクや金属表面のn、k測定が可能です。

仕様

型番	FE-5000	FE-5000S
本体のサイズ (W)x(D)x(H)mm	1,300×890×1,750	650×400×593
重さ	350kg*7	50kg
電源	AC1,500V
測定サンプル	反射測定サンプル
サンプルサイズ	200mm×200mm	100mm×100mm
測定方法	回転検光子法^*1
測定膜厚範囲（nd）	0.1nm～1μm
入射（反射）角度範囲	45°～90°
入射（反射）角度駆動方式	自動サインバー駆動方式
入射スポット径^*2	約φ1.2^*3	約φ2.0
tanψ測定正確さ	±0.01以下
cosΔ測定正確さ	±0.01以下
膜厚の繰り返し再現性	0.01%以下^*4
測定波長範囲^*5	300～800nm
分光検出器	ポリクロメータ（PDA、CCD）
測定用光源	高安定キセノンランプ^*6
ステージ駆動方式	手動 / 自動	手動
ローダ対応	可	不可
用途	■半導体ウェハー　・ゲート酸化薄膜、窒化膜　・SiO₂、Si_xO_y、SiN、SiON、SiN_x、Al₂O₃、SiN_xO_y、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN 　・レジストの光学定数（波長分散） ■ 化合物半導体　・Al_xGa_(1-x)As 多層膜、アモルファスシリコン ■FPD 　・配向膜　・プラズマディスプレイ用ITO、MgOなど ■各種新素材　・DLC（Diamond Like Carbon）、超伝導用薄膜、磁気ヘッド薄膜 ■光学薄膜　・TiO₂、SiO₂、多層膜、反射防止膜、反射膜 ■リソグラフィー分野　・g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）などの各波長におけるn、k評価
希望小売価格（税抜）	お問い合わせ	お問い合わせ

*1 偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板着脱可能です。
*2 短軸・角度により異なります。
*3 微小スポット対応（オプション）
*4 VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5 この波長範囲内で選択可能です。
*6 測定波長により光源が異なります。
*7 自動ステージ選択時の値です。

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